○ 교자성을 이용하여 초고속 쓰기 동작이 가능한 자성 메모리 소자 구현
- 교자성 박막위에 터널링 자기 저항 (tunneling magneto-resistance,TMR)이 확보된 자기 터널 접합 (magnetic tunnel junction, MTJ) 박막층을 성장
- 저전력 이면서 안정적으로쓰기 동작이 되는 3단자 SST-MTJ (spin splitting torque MTJ) 소자를 제작하여 교자성의 유효성 및 가능성을 검증
참고사이트